在人工智能技术快速发展的背景下，全球存储产业正经历新一轮技术变革。据行业分析机构披露，主要存储厂商对NAND闪存产能扩张持审慎态度，同时加速淘汰MLC等传统产品架构。SK海力士于近期公布的5-Bit NAND技术引发业界关注，该技术通过架构创新使读取速度达到传统PLC闪存的20倍。
这项突破性技术采用Multi-Site Cell（MSC）架构设计，将每个3D NAND存储单元垂直分割为两个独立存储区域。这种创新方案在提升数据密度的同时，将单元工作电压降低至原有方案的三分之一。通过电压优化设计，单个存储单元的存储容量实现质的飞跃，为高密度存储设备开发开辟新路径。
技术团队在研发过程中攻克了关键技术瓶颈。通过集成4D 2.0技术体系，成功突破传统存储单元超过4bit后必然面临的电压状态限制。这项创新使得5bit存储单元在保持高速读写性能的同时，维持了与现有产品相当的耐久性指标，解决了高密度存储领域长期存在的技术矛盾。
针对QLC架构存在的可靠性短板，研发团队采用双独立存储区（Dual-Site）设计。每个存储区采用更低工作电压，既延长了器件使用寿命，又提升了整体存储密度。这种创新架构使单个存储单元的存储效率提升近一倍，有效弥补了传统QLC技术的性能缺陷。
实际应用测试显示，该技术可带来显著的存储容量提升。采用新架构的NAND存储芯片单Die容量增加25%，由此制成的固态硬盘产品整体存储空间同步增长四分之一。这项突破为数据中心、边缘计算等大容量存储场景提供了新的技术解决方案，有望推动存储设备向更高密度、更低能耗方向发展。
