据韩媒IT Chosun最新消息，三星电子在第六代10纳米级DRAM内存制程工艺（1c nm）的研发上取得关键进展，当前良率已攀升至约60%，成功跨越量产所需的盈亏平衡线。这一突破被业界视为重要信号，因其直接关联到三星下一代HBM4内存的商业化进程——该产品正是基于1c nm DRAM技术打造。
业内分析指出，DRAM芯片良率的提升对三星意义重大。更高的良率意味着每片晶圆可产出更多合格芯片，直接降低单位生产成本，从而在HBM4内存的定价策略上获得更大灵活空间。考虑到HBM内存作为人工智能芯片的核心组件，其利润空间远超传统存储产品，三星此举有望显著增厚其半导体业务的利润表现。
值得关注的是，三星在1c DRAM的量产策略上出现明显转向。此前受行业波动影响，公司采取"稳良率、缓量产"的保守路线，但近期已调整为"快速量产、抢占市场"的传统模式。这种转变被解读为对英伟达等AI芯片巨头订单的积极回应——这些客户正迫切需要更高性能的HBM内存支持其新一代产品开发。
根据TrendForce集邦咨询的预测，受HBM3E平台需求激增及技术规格升级推动，HBM内存的规模化量产时间点可能提前至2026年第一季度末。这意味着三星、SK海力士和美光三大存储厂商仍有约两年的窗口期优化产品良率。当前三星在1c nm工艺上的突破，使其在这场技术竞赛中占据了先发优势，但后续仍需持续改进以应对激烈的市场竞争。
