据行业分析机构SemiAnalysis最新报告，在下一代高带宽内存（HBM4）市场竞争中，韩系厂商三星与SK海力士已形成绝对优势，而美光科技因技术路线失误，或将彻底失去英伟达Rubin芯片的订单供应资格。
报告显示，英伟达Rubin平台所需的HBM4内存供应份额已全部被韩系厂商占据，其中SK海力士预计拿下70%订单，三星则获得剩余30%份额。这意味着美光在该领域的市场份额将归零，彻底退出这场高端存储芯片的争夺战。
美光此次失利的核心原因在于其坚持自主设计制造HBM4基础裸片的技术路线。与其他竞争对手不同，美光拒绝与台积电等外部代工厂合作，也未利用三星的自有逻辑代工能力，而是选择独立完成所有生产环节。这种"单打独斗"的策略导致产品出现严重散热问题，且引脚速度无法达到英伟达的严苛标准。
技术瓶颈之外，时间窗口的错失更是致命打击。英伟达Vera Rubin芯片已进入全速生产阶段，供应链名单早已确定。尽管美光计划在2026年第二季度重新提交优化后的产品进行资格测试，但此时市场格局已定，重新入局的机会十分渺茫。
反观竞争对手，三星通过攻克引脚速度技术难关，成功摆脱HBM3时代的延误阴影，重新获得英伟达认可。SK海力士则凭借与台积电的深度合作，在制程工艺上保持领先优势。这两家韩系厂商通过不同的技术路径，最终在HBM4市场形成了双雄垄断的局面。
业内人士指出，HBM内存作为人工智能计算的核心组件，其技术迭代速度远超传统存储芯片。美光此次在基础裸片设计上的固执坚持，不仅导致产品性能落后，更使其错失了与英伟达建立长期合作关系的宝贵机会。这场竞争失利或将影响美光在未来AI芯片市场的战略布局。
