ITBear旗下自媒体矩阵：
滚动资讯
当前位置：首页 > 资讯 > 信息流 > 正文内容

三星或采用2nm工艺开发HBM5

   时间：2026-03-18 09:54:24 来源：格隆汇编辑：快讯 IP：北京 发表评论无障碍通道
 
格隆汇3月18日｜据科创板日报，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存(HBM5)，其底层芯片采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D(第七代10纳米级)工艺的DRAM。
 
 
更多>同类资讯
03-18
03-18
03-18
03-18
03-18
03-18
03-18
03-18
03-18
03-18
03-18
03-18
03-18
03-18
03-18
点击查看更多 +
全站最新
风雅西北湖春日启幕！樱花与艺术交融，江汉免费活动邀你共赴浪漫之约
风雅西北湖春日启幕！樱花与艺术交融，江汉免费活动邀你共赴浪漫之约
理想汽车2025年业绩承压，2026年以三大支柱谋20%销量增长新局
理想汽车2025年业绩承压，2026年以三大支柱谋20%销量增长新局
国产新能源实力出圈！福特拆解比亚迪皮卡，直呼成本利润难理解
国产新能源实力出圈！福特拆解比亚迪皮卡，直呼成本利润难理解
中汽中心新能源检验中心二期开工 天津新能源汽车产业再添新动力
中汽中心新能源检验中心二期开工 天津新能源汽车产业再添新动力
中车哈尔滨车辆公司数智化改造升级 产能跃升迈向行业新高度
中车哈尔滨车辆公司数智化改造升级 产能跃升迈向行业新高度
理想增程器开发逻辑大不同：NVH居首 重塑用户核心需求新架构
理想增程器开发逻辑大不同：NVH居首 重塑用户核心需求新架构
热门内容
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  版权声明  |  争议稿件处理  |  English Version