全球晶圆代工领域正迎来新的技术布局调整。据行业消息，三星电子将氮化镓（GaN）视为功率半导体业务的重要增长极，其位于韩国的首条8英寸GaN专用生产线已进入最后筹备阶段，最快将于2026年第二季度正式投产。该产线初期预计实现年营收不超过1000亿韩元（约合人民币4.62亿元），标志着这家半导体巨头在化合物半导体领域迈出关键一步。
与三星积极扩张形成对比的是，台积电近日宣布将于2027年全面停产GaN晶圆。这一决策差异凸显出两大厂商在第三代半导体技术路线上的战略分化。台积电虽未公开具体原因，但行业分析认为其可能将资源集中于碳化硅（SiC）等更具长期潜力的材料领域。
三星在GaN领域的布局早有伏笔。2023年该公司曾宣布建设功率半导体专用晶圆厂，虽实际进度较原计划有所延迟，但技术储备已趋成熟。目前三星已构建起覆盖外延生长、晶圆制造的完整GaN解决方案体系，成为全球少数具备自主生产能力的厂商之一。这种垂直整合模式使其在成本控制和工艺优化方面占据优势。
在化合物半导体双线并进策略下，三星同步推进碳化硅产线建设。预计年内投产的SiC晶圆代工线将实现从设计到制造的全流程覆盖，与GaN产品形成技术互补。两种材料分别适用于不同电压区间，这种差异化布局可使三星覆盖更广泛的应用场景，从消费电子快充延伸至新能源汽车、工业电机等高端市场。
行业观察人士指出，三星的激进扩张或将改变第三代半导体市场格局。当前GaN市场主要由英飞凌、Qorvo等国际大厂主导，三星凭借晶圆代工领域的规模优势和技术积累，有望在功率半导体领域开辟新的增长赛道。不过新产线达产周期和良率控制仍是其面临的主要挑战。
