台积电在美国举办的技术论坛上，公布了多项先进制程技术的最新进展。其中，备受瞩目的A13与A12工艺成为焦点。A13作为A14的升级版，通过直接光学收缩技术，在保持设计规则完全兼容的基础上，实现了6%的面积缩减。同时，该工艺通过设计与技术的协同优化，进一步提升了能效与性能表现。
另一项突破性技术A12，则代表了台积电在背面供电工艺领域的全新探索。作为继A16之后的下一代超级电轨技术，A12专为AI与高性能计算（HPC）应用场景设计，有望为相关领域带来更高效的能源利用与更强大的计算能力。
在2nm制程平台方面，台积电推出了演进版本N2U。该版本在速度、功耗与逻辑密度上均有显著提升，预计较N2P版本速度提升3-4%，功耗降低8-10%，逻辑密度增加2-3%。N2U计划于2028年投入生产，将为下一代芯片提供更强大的性能支持。
与此同时，台积电还发布了首款采用环绕栅极（GAA）技术的车用制程N2A。该技术针对汽车电子领域的需求，在相同功耗下实现了较N3A技术15-20%的速度提升。N2A预计于2028年完成AEC-Q100车规级认证，为汽车行业提供更可靠的芯片解决方案。
在成熟制程领域，台积电同样有新动作。今年，该公司将高压技术首次引入FinFET晶体管，推出了面向显示驱动芯片（DDIC）的N16HV制程。相比N28HV，N16HV在栅极密度上提升了41%，同时功耗降低了35%，为显示技术提供更高效的驱动支持。
