盛美半导体（ACM Research）近日宣布，其自主研发的首台等离子体增强化学气相沉积（PECVD）碳氮化硅（SiCN）设备已完成交付准备，正式发往客户工厂进行最终验证。这一突破标志着盛美在半导体设备领域的技术版图进一步扩展，为先进制程工艺提供了关键装备支持。
该设备专为300mm（12英寸）晶圆制造设计，可精准满足55nm及以下制程节点中后段金属互联工艺对SiCN薄膜的严苛要求，同时兼容先进封装领域的应用需求。通过旋转沉积技术，设备实现了高均匀性的薄膜生长，为芯片性能提升提供了重要保障。
在结构设计上，该设备创新性地配置了四个晶圆装载口与三个独立工艺腔体。每个工位负责沉积总膜厚的三分之一，并配备独立射频系统，确保工艺参数的精确控制。其最高工艺温度可达400℃，能够适应多种复杂材料体系的加工需求。
盛美上海总经理王坚指出，此次设备交付是公司技术迭代的重要里程碑。通过模块化架构与智能化控制系统的结合，该平台不仅支持现有工艺需求，更具备向更先进制程延伸的潜力，可为半导体制造企业应对器件集成复杂度提升提供关键解决方案。
