在即将到来的VLSI Symposium研讨会上，铠侠与闪迪将联合展示其最新的多层堆叠单元架构QLC NAND闪存技术，这一举动标志着两家企业向突破1000层3D NAND的目标迈出了重要一步。据悉，该研讨会定于6月14日至18日举行，届时两家公司将同步展出相关技术成果。
此前，铠侠与闪迪已提前披露了MSA-CBA（多层堆叠单元阵列-CMOS键合）器件架构图，并公布了由两块218字线阵列晶圆堆叠而成的单元阵列FIB-SEM图像。这一技术细节的公开，为行业观察者提供了窥探其研发进展的窗口。
铠侠在3D NAND技术领域的布局早有规划。2024年，该公司便提出了1000层3D NAND的路线图，并设定了具体的技术目标。根据日本媒体PC Watch的报道，铠侠预计到2027年，NAND闪存的存储密度将达到100 Gbit/mm²，同时实现1000字线3D NAND的量产。
与此同时，三星电子也在3D NAND技术上有所动作。尽管该公司曾规划过1000层NAND的路线，但最终选择了更为稳健的发展策略。在旧金山国际固态电路大会（ISSCC）上，三星展示了multi-BV NAND概念，通过将两块晶圆堆叠在两块外围晶圆上，实现了1000层的扩展。这一方案与铠侠的技术思路存在高度相似性，显示出行业在追求更高存储密度时的共同技术路径。
