功率半导体行业正经历新一轮涨价潮，海内外厂商纷纷上调产品价格，涨幅普遍在10%至25%之间。这一波涨价的核心驱动力来自AI数据中心需求的爆发，同时全球8英寸成熟制程产能持续收缩，进一步加剧了供需紧张局面。据行业分析机构预测，这种供需失衡状态预计将持续6至12个月。
英飞凌、德州仪器等国际巨头率先发布涨价函，国内厂商如宏微科技、捷捷微电、新洁能等也迅速跟进。宏微科技对部分IGBT产品提价约10%，捷捷微电的MOSFET和IGBT产品分别上调10%-20%，新洁能的MOSFET产品自3月1日起涨价10%起。业内人士指出，这轮涨价并非孤立事件，而是AI数据中心、新能源车和上游成本三重因素共同作用的结果。
AI数据中心成为本轮涨价的最大推手。单台AI服务器对高压MOSFET和电源管理MOSFET的需求大幅增长，导致8英寸晶圆产能愈发紧张。新洁能在涨价函中明确提到，上游原材料及关键贵金属价格攀升，晶圆代工和封测成本持续上涨，是推动产品涨价的主要原因。捷捷微电则通过南通高端功率半导体器件产业化项目提升产能，试图缓解MOSFET供应压力，但仍不得不调整产品价格。
IGBT的涨价节奏虽略慢于MOSFET，但趋势已确立。部分海外龙头和国产厂商已发出涨价通知，车规级硅基IGBT芯片涨幅在10%至20%之间。宏微科技证券部人士表示，公司低端IGBT产品普遍涨价10%左右，主要受上游成本上涨和下游需求回暖影响。芯联集成管理层在业绩交流会上也指出，IGBT产品需求增长明显，未来供需平衡将被打破，出现需求大于供给的情况。
然而，并非所有厂商都选择跟涨。一些国产厂商为抢占市场或维持订单量，选择自行吸收成本，保持芯片或模块价格不变。某国内厂商在被问及是否跟涨时表示，目前仍在"关注中"，尚未做出最终决定。这种分化现象反映出功率半导体市场在涨价潮下的复杂竞争格局。
供给端的收缩进一步放大了供需紧张。台积电、三星等大厂持续削减8英寸成熟制程产能，全球8英寸产能至2027年上半年将维持负增长。TrendForce集邦咨询数据显示，2026年全球8英寸晶圆代工厂平均产能利用率将从2025年的75%-80%攀升至85%-90%，部分晶圆厂已通知客户调涨代工价5%-20%。封测端同样紧张，部分大厂产能利用率接近满载，近期启动涨价，涨幅近30%。
在传统功率半导体供需紧张的同时，第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）正迎来新的需求入口——AI数据中心。英伟达在2025年技术大会上将800V高压直流架构确立为下一代AI工厂的核心供电方案，获得英飞凌、安森美、意法半导体等主流厂商支持。这套架构对功率半导体提出了更高要求，为碳化硅和氮化镓开辟了高附加值应用空间。
据行家说三代半半导体研究总监张文灵介绍，在配电端，固态变压器和中压直供800V电源系统等新型方案将逐步取代传统工频变压器，这些方案通常采用碳化硅器件，单台用量可达数百颗。在机柜内部，板载电源需要氮化镓提升效率和功率密度，兆瓦级DC-DC模块的氮化镓器件用量可超1000颗。AIDC对效率和功率密度的高要求，为第三代半导体提供了缓解新能源汽车和消费电子领域价格压力的机会。
尽管第三代半导体在AIDC中的应用仍处于早期阶段，但国产厂商已具备接住这波需求的实力。Omdia报告显示，中国厂商士兰微在2025年首次进入全球功率半导体前五行列。天岳先进2025年碳化硅衬底全球市占率跃居首位，8英寸产品市占率突破50%。英诺赛科作为英伟达800V系统供应商名单中唯一的中国本土企业，近期已成功供货谷歌，其8英寸氮化镓晶圆产线月产能从1.3万片提升至2万片。
面对AI和新能源车的双重拉动，国内外企业均在密集扩产。海外方面，英飞凌斥资50亿欧元在德累斯顿建设智能功率半导体工厂，预计2026年夏启用；意法半导体在意大利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅工厂，总投资50亿欧元；安森美斥资20亿美元在捷克建设碳化硅工厂。国内企业的扩产节奏同样紧凑，时代电气三期株洲碳化硅产线已投入生产，芯联集成推进12英寸碳化硅产线扩产，扬杰科技在越南建设车规级6英寸晶圆工厂，株洲中车8英寸碳化硅晶圆线去年底通线，斯达半导15亿元可转债获批用于加码车规级SiC和GaN模块产能建设。
