SK海力士近日宣布推出名为“iHBM”的创新型控温散热存储技术，该技术通过优化热传导路径显著提升了高带宽存储器（HBM）的散热效率。与传统依赖芯片间接传导热量的方案不同，iHBM创新性地将自主研发的冷却元件“ICE”直接嵌入D2D PHY这一核心发热区域，构建起专用的热量排出通道，使热阻降低超过30%。
冷却元件“ICE”采用绝缘且高导热性的硅基材料制成，这一特性使其在保障电气安全的同时，能够快速将局部高温传导至散热系统。经测试，在高温高负载环境下，搭载iHBM技术的存储器可维持更稳定的运行状态，有效避免因过热导致的性能波动或故障风险。
量产环节，SK海力士选用了已通过市场验证的MR-MUF晶圆级封装工艺。该工艺不仅支持大规模稳定生产，还能确保冷却元件与存储芯片的精密结合，从而在保证良率的同时控制制造成本。iHBM技术与客户现有系统级封装环境的高度兼容性成为另一亮点——厂商无需对原有设计进行大规模调整即可直接部署，大幅降低了技术导入门槛。
据技术团队介绍，iHBM的研发初衷是解决高性能计算及AI数据中心等场景下的散热难题。随着存储器集成度与带宽需求的持续提升，传统散热方案已难以满足极端工况下的稳定性要求。iHBM通过精准定位发热源并优化热传导路径，为下一代HBM产品提供了可靠的散热解决方案。
目前，SK海力士已明确将iHBM技术应用于HBM5等后续产品中。这一决策旨在满足AI训练、超算等前沿领域对超高集成度存储器的需求，同时为数据中心运营商提供更高效的硬件支持。随着相关产品的逐步落地，存储器行业的散热技术标准或将迎来新一轮升级。
