近期，内存市场价格出现大幅波动，内存条价格在近一年内飙升近500%，部分产品涨幅甚至接近10倍。这一现象最初被归因于人工智能（AI）技术快速发展带来的巨大需求，导致市场供需失衡。然而，半导体行业内部人士透露，内存供应紧张的局面可能被过度渲染，实际产能缺口远低于外界预期。
据匿名消息人士称，当前内存市场的实际缺口约为4%至5%，较此前预测的2025年8%至9%的短缺幅度显著收窄。这一变化主要得益于三星、SK海力士等主要制造商成功实现从1b工艺向1c工艺的技术升级，新工艺提升了单位芯片的存储容量，有效填补了大部分预期缺口。随着美光科技和三星在2027年全面启用新生产线，预计内存缺口将进一步缩小至3%。
行业分析显示，内存市场的供需关系将在未来两年持续改善。到2028年上半年，市场可能仍存在2%至3%的缺口，但下半年有望实现完全平衡，价格也将趋于稳定。不过，有观点指出，内存产能的真实缺口难以精确测算，AI技术对高带宽内存（HBM）的旺盛需求确实消耗了大量产能，但如果缺口真的达到严重短缺的程度，相关领域的投资热潮恐怕早已降温。
值得注意的是，不同机构对内存市场前景的判断存在差异。知名金融机构彭博社此前发布报告称，2024年第二季度是内存供应最紧张的时期，当时缺口约为8%，预计2025年市场将基本实现供需平衡，缺口控制在2%以内，2028年后甚至可能出现供应过剩的情况。这种预测与匿名人士的爆料存在一定重叠，但具体数据有所不同。
有市场观察人士认为，本轮内存价格上涨不仅是供需关系的结果，更可能是行业巨头博弈的产物。三大主要制造商曾公开表示内存短缺将持续至2030年以后，这种论调被质疑是为维持高价策略制造舆论。如果供应紧张的局面被人为放大，那么谁从价格飙升中获利最多便不言而喻。随着技术进步和生产扩张，内存市场的真实供需状况仍有待进一步观察。
