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三星正为英伟达开发8层HBM4E

   时间：2026-08-31 14:02:16 来源：格隆汇编辑：快讯 IP：北京 发表评论无障碍通道
 
格隆汇8月31日丨据首尔经济日报，三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%，该产品据悉将用于NVHBM。
 
 
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