在SEMICON Taiwan展前峰会“Memory Executive Summit”上，三星电子正式发布了其下一代3D存储器战略框架——CUBE，并详细披露了HBM5、zHBM及zNAND-O的技术演进路线。这一战略标志着三星正通过架构层面的深度创新，加速布局人工智能时代的存储器市场，试图在激烈竞争中占据主导地位。
CUBE战略以四大核心指标为支撑：容量（Capacity）、利用率（Utilization）、带宽（Bandwidth）和能效（Efficiency）。这四大维度精准回应了AI应用对存储器的关键需求：如何在有限物理空间内提升存储密度、优化资源利用效率、扩展数据传输带宽，同时降低功耗。该战略的提出，表明三星正从单纯追求性能参数转向系统级协同优化，试图通过架构创新解决AI计算中的存储瓶颈。
作为HBM系列的下一代产品，HBM5被定位为现有路线的延续与升级。三星计划将其性能提升至HBM4E的两倍，同时将每瓦性能提高20%，热阻降低20%。这一升级路径保持了与现有架构的兼容性，重点通过优化数据传输效率和能效比，满足大规模AI模型训练对内存带宽的持续需求。业内人士指出，HBM5的推出将进一步巩固三星在高性能计算存储领域的市场地位。
与HBM5的渐进式改进不同，zHBM被视为一次架构层面的重大突破。传统HBM通常与GPU并列放置，通过先进封装技术实现高速互联；而zHBM则尝试将存储芯片直接堆叠在GPU上方，从根本上改变信号传输路径和散热结构。三星为zHBM设定了极具挑战性的目标：性能达到HBM4E的约8倍，每瓦性能提升至约3倍，热阻降低75%至90%。若这一技术落地，将有望显著缓解AI加速器在带宽、功耗和散热方面的三重限制，为超大规模模型训练提供全新的内存架构解决方案。
针对大语言模型对超大规模存储的迫切需求，三星同步推进了zNAND-O技术的研发。该技术旨在将比特密度提升至DRAM的10倍，同时将读取带宽和能效分别提高至传统NAND的7倍。通过这一创新，三星试图为未来AI数据中心提供更高密度、更低能耗的存储选项。根据规划，zNAND-O将于2028年启动样品供应，其商业化进程备受行业关注。
业内分析认为，三星此次发布的CUBE战略及其技术路线图，展现了其在存储器领域的全面布局和深厚积累。通过架构创新、性能提升和能效优化，三星正试图构建覆盖AI计算全场景的存储解决方案，以应对未来数据爆炸式增长带来的挑战。
