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台积电、英特尔、三星2nm工艺良率曝光:台积电领先,英特尔追赶

   时间:2025-07-15 15:26:55 来源:ITBEAR编辑:快讯团队 IP:北京 发表评论无障碍通道

近期,半导体行业内部消息透露,KeyBanc Capital Markets的一位分析师John Vinh在其报告中详细分析了台积电、英特尔及三星电子在2纳米工艺节点上的良率情况。据报告,台积电的N2节点良率大约为65%,表现最为突出。紧随其后的是英特尔的Intel 18A节点,良率为55%,较上一季度有所上升。而三星电子的SF2节点良率则相对较低,仅为40%。

值得注意的是,John Vinh指出,英特尔的Intel 18A节点良率在本季度内实现了5%的增长,这一进步对于英特尔按计划在今年内推出Panther Lake处理器至关重要。他还预测,英特尔的代工业务有望在三星晶圆代工之前,达到65至70%的可量产2纳米良率水平。然而,到那时候,台积电的N2节点良率预计将攀升至75%,继续保持领先。

报告进一步提及,Intel 18A-P这一改进版工艺预计将在2026年下半年进入量产阶段。John Vinh强调,如果英特尔能够满足一系列关键绩效指标,其公司业绩有望大幅超过市场预期,这将极大地增强外界对英特尔代工业务未来发展的信心。

尽管前景看好,John Vinh并不认为英特尔会在Intel 18A-P节点上放弃对外代工策略。他预测,下一个工艺节点Intel 14A的量产时间将推迟到2027年至2028年之交,这意味着英特尔在一段时间内仍将继续依赖外部代工来满足市场需求。

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