近期，三星电子重启了一项搁置七年的高端存储技术研发计划。据《电子时报》报道，该公司曾推出一款名为“Z-NAND”的产品，旨在与英特尔的3D XPoint傲腾技术相抗衡。然而，由于市场接受度不足，该产品的后续开发被搁置。
随着人工智能技术的快速发展，三星电子决定重启Z-NAND项目，并为其设定了雄心勃勃的性能提升目标——最高达到传统产品的15倍。这一决策反映了三星对AI领域存储需求的深刻洞察。
三星半导体存储业务的执行副总裁表示，新一代Z-NAND不仅要在性能上实现大幅提升，还要在功耗上实现显著降低，最多可达80%。这项技术将特别针对AI应用进行优化，尤其是AI GPU，以降低系统延迟为主要目标。
为了实现这一目标，三星引入了一项名为GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）的新技术。这项技术允许GPU直接访问Z-NAND存储的数据，从而提高了数据处理的效率，其原理与微软的DirectStorage API有异曲同工之妙。
作为英特尔Optane技术的竞争对手，Z-NAND采用了介于传统DRAM与SSD之间的新型固态存储层。这种设计使得Z-NAND在系统延迟和性能方面均表现出色，成为AI应用的理想选择。
回顾历史，三星最初推出的Z-NAND并非基于全新的存储架构，而是经过加速优化的SLC NAND SSD。它采用了改良的48层V-NAND技术，并以SLC模式运行。与传统SSD相比，Z-NAND的一大创新在于将页大小缩小至2–4 KB，从而能够以更小的数据块进行读写操作，进而降低了延迟。
在当时，英特尔的Optane和三星的Z-NAND都比传统SSD快约6–10倍。如今，如果三星的新一代Z-NAND技术能够实现其既定目标，那么其性能将达到当前NVMe SSD的15倍，这无疑将为用户带来更加流畅和高效的AI应用体验。
