存储器技术领域迎来重大突破，SK海力士正式宣布完成新一代人工智能专用存储器HBM4的研发，并率先构建全球首个量产体系。这款被业界视为AI计算核心组件的产品，通过架构革新与工艺升级，在传输带宽、能效比等关键指标上实现跨越式提升。
作为高带宽存储器的第六代产品，HBM4采用垂直堆叠技术将多个DRAM芯片集成，其数据传输通道数量较前代翻倍至2048条。这种设计使内存带宽实现指数级增长，配合能效提升超40%的技术优化，达到当前全球存储器领域的性能巅峰。测试数据显示，该产品运行速度突破10Gbps，远超行业标准规定的8Gbps阈值。
技术团队在开发过程中引入自主创新的MR-MUF封装技术与第五代10纳米级DRAM工艺。这两种经过市场验证的先进技术，不仅确保了产品稳定性，更有效控制了量产过程中的技术风险。据内部测试报告显示，采用HBM4的AI系统运算性能最高可提升69%，同时能显著降低数据中心能耗成本。
从技术迭代路径看，HBM系列已形成完整发展脉络。自初代产品问世以来，历经HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E等五次技术升级，最终在HBM4实现质变。这种持续创新使SK海力士在AI存储市场保持领先优势，其构建的完整量产体系已具备规模化供应能力。
行业分析师指出，HBM4的突破性进展将直接推动AI大模型训练效率提升。更宽的数据传输通道与更低的单位能耗，有助于解决当前算力集群面临的数据吞吐瓶颈。随着云计算和深度学习应用的持续扩展，这类高性能存储器的市场需求预计将呈现指数级增长。
