存储芯片市场正经历一场由人工智能（AI）需求驱动的空前涨价潮，行业传统供需格局被彻底打破。据产业链人士透露，本轮涨价周期自上半年启动以来，进入第四季度后非但未放缓，反而因多重因素叠加呈现加速态势，部分产品价格单周涨幅超过30%，形成行业罕见的"超级周期"。
CFM闪存市场最新数据显示，DDR4 16Gb 3200现货价格本周攀升至13美元，较上周暴涨30%；512Gb Flash晶圆价格10月累计涨幅超20%。某存储模组厂员工透露，部分原厂已暂停DRAM和Flash产品报价，即便报价也仅维持"一日一价"的短暂有效期。TrendForce集邦咨询分析师许家源预测，第四季度DRAM整体价格（含HBM）将环比增长13%-18%，其中DDR4供应紧缺或持续至2026年上半年。
这轮涨价的核心驱动力来自AI大模型引发的结构性供需失衡。摩根士丹利报告显示，科技巨头今年在AI基础设施的投入预计达4000亿美元，直接带动HBM（高带宽内存）需求激增。Yole Group预测，2025年HBM市场规模将接近340亿美元，2030年前保持33%的年复合增长率，届时营收将超过DRAM市场总规模的50%。由于HBM晶圆消耗量是标准DRAM的三倍以上，存储巨头被迫将产能向利润更高的HBM和DDR5倾斜，导致DDR4、LPDDR4X等传统产品出现"计划性供应短缺"。
终端市场已明显感受到成本压力。小米集团创始人雷军在社交媒体直言"内存涨价太多"，其新发布的Redmi K90系列手机部分版本售价较前代上调100-400元。小米总裁卢伟冰公开表示，存储成本上涨幅度远超预期且持续加剧，但公司仍希望通过诚意定价获得消费者理解。威刚科技董事长陈立白则公开看好，认为第四季度才是存储市场真正起涨点，2025年行业将迎来繁荣期。
面对供应链变革，下游厂商正在调整策略。PC制造商加速导入DDR5机型，而电视、网络设备等消费领域则放缓从DDR3向DDR4的升级进程。江波龙证券部人士透露，公司因提前储备存货，上游涨价对毛利率形成正向贡献。与之形成对比的是，朗科科技采取"清库存"模式，库存量低于行业平均水平以降低波动风险。
芯片设计企业和分销商则更多依赖价格传导机制。普冉股份证券部人士表示，公司正与下游客户协商涨价，试图通过博弈实现价格上调。香农芯创证券部人士称，分销业务毛利保持稳定，但采购成本上涨会同步传导至下游，"行情影响更多体现在销量变化，而非毛利率波动"。
国际原厂涨价效应已向国内产业链扩散。某国产存储大厂人士透露，国外厂商提价促使部分客户转向国内晶圆厂，行业整体获利空间显著扩大。在此背景下，国内企业正加速布局高附加值领域：赛腾股份HBM检测设备已获海外大客户批量订单，国内市场开拓中；中微公司在先进封装领域（含HBM工艺）完成刻蚀、CVD等设备全链条布局；佰维存储的晶圆级先进封测项目进入投产准备，将提供"存储+封测"一站式解决方案。
许家源分析指出，尽管预计2026年HBM3e可能面临供过于求，但新一代HBM4因技术门槛高仍将保持供需紧张状态。这场由AI引发的行业变革，正在重塑全球存储产业格局，国产厂商能否抓住国际大厂产能调整的窗口期，将成为决定未来市场地位的关键。
