全球存储芯片领域近日迎来重要进展，SK海力士与英伟达就第六代高带宽存储器HBM4的供应协议达成一致。这款专为AI芯片设计的存储器较前代产品HBM3E单价提升超50%，每颗定价约560美元（约合人民币3989元），标志着HBM市场进入新的价格周期。
据行业消息，双方谈判过程充满博弈。SK海力士基于技术升级带来的成本压力，最初提出550美元的报价，但英伟达考虑到三星电子和美光科技即将大规模入局，对价格涨幅提出异议。最终经过协商，定价较初始方案微涨10美元，这个结果既保障了SK海力士的市场主导权，也体现了英伟达对供应链稳定性的考量。
技术突破是支撑涨价的核心因素。HBM4的数据传输通道数量达2048个，较HBM3E翻倍，同时在基底芯片中集成了计算优化和能效管理等逻辑功能。这种架构革新促使SK海力士将基底芯片生产外包给台积电，形成存储与逻辑工艺的深度整合。行业分析师指出，这种技术跃迁带来的制造成本上升，是推动产品定价走高的关键原因。
财务预测显示，SK海力士的HBM业务将迎来爆发式增长。市场预计其明年HBM销售额可达40-42万亿韩元（约合人民币2084亿元），若保持当前利润率水平，仅HBM业务就可贡献约25万亿韩元营业利润。相较于今年30万亿韩元销售额和17万亿韩元利润的业绩，整体业务规模有望提升40%-50%。
通用DRAM市场的价格异动成为另一重要变量。受AI基础设施投资驱动，DDR4价格六年来首次突破7美元关口。存储芯片厂商将产能向HBM产线倾斜，导致通用DRAM供应持续紧张。这种结构性短缺推动SK海力士的GDDR和LP DDR等通用产品利润率攀升，预计明年该板块营业利润率可达50%-60%。
产能预售现象印证了市场的高景气度。据业内人士透露，SK海力士明年的生产计划已全部售罄，这种"未投产先售罄"的局面在存储芯片行业极为罕见。推理AI市场的快速扩张带来的需求激增，使得存储芯片供应持续吃紧，为厂商维持高利润率提供了坚实支撑。
综合各项业务表现，市场对SK海力士的盈利预期持续上调。有预测认为，凭借HBM4的高附加值和通用DRAM的价格上涨，公司明年整体营业利润可能突破70万亿韩元。这种业绩表现不仅源于HBM业务的技术领先，更得益于AI浪潮下存储芯片市场的整体繁荣。
