存储半导体领域正迎来新一轮技术竞赛，第六代高带宽内存（HBM4）的研发尚未完成，第七代产品HBM4E已引发行业巨头激烈角逐。据业内人士透露，三星电子与SK海力士已将HBM4E的量产时间表锁定在明年上半年，这款产品将率先应用于英伟达"Rubin"平台旗舰型号R300等新一代AI加速器。考虑到相关硬件计划于2027年正式商用，两家企业正加速推进产品验证流程，力争在明年下半年完成品质认证。
市场研究机构预测显示，HBM4E有望在两年内占据市场主导地位。兴国证券分析师Son In-jun指出，2025年全球HBM需求增速将达77%，2027年虽放缓至68%，但届时HBM4E将占据总需求的40%。这种增长预期促使头部企业全面调整战略布局，从标准化产品转向定制化解决方案。自HBM4E世代开始，逻辑裸片等核心组件将根据客户特定需求进行设计制造，这种转变要求企业同时具备定制化设计能力与先进制程工艺。
在HBM4市场占据先机的SK海力士，已与英伟达敲定明年供货协议，预计将供应Rubin平台初期所需HBM4的显著份额。虽然三星电子也已进入英伟达供应链，但具体供货量仍在协商阶段。值得关注的是，三星从HBM4世代开始就采用自家晶圆代工工艺生产逻辑裸片，这种垂直整合模式使其在定制化竞争中积累起独特优势。行业专家分析，三星完整的内部供应链体系使其能更快响应客户需求变化。
定制化趋势正在重塑行业格局。随着全球科技巨头加速自主研发AI加速器，对HBM产品的性能参数和封装形式提出多样化要求。某半导体企业高管表示，SK海力士凭借与英伟达的深度合作仍具领先优势，但三星的代工技术灵活性和产能储备使其在多元化市场需求中更具竞争力。这种判断基于三星已实现的定制化设计能力与先进制程的有机结合，这种组合在应对非标准订单时展现出显著效率优势。
竞争格局的演变吸引着新参与者入场。美光科技近期宣布与台积电建立战略合作伙伴关系，共同开发HBM4E技术。这与SK海力士自HBM4世代就采用台积电代工的模式形成对比——美光此前在HBM4生产中主要依赖自有DRAM工艺。行业观察家认为，客户对高性能定制化产品的需求增长，迫使美光调整技术路线，通过整合台积电的先进制程能力来强化产品竞争力。这种转变反映出HBM市场正从技术竞争转向生态系统竞争的新阶段。
