媒体CNBC近日发布报道，深入探访了英特尔位于美国亚利桑那州钱德勒的Fab 52工厂，揭示了这家芯片巨头在与台积电争夺全球先进制程主导权过程中取得的显著进展。据行业分析，Fab 52在占地面积和设备配置上均超越了台积电在该州的Fab 21一期及在建二期设施，展现出强大的竞争力。
Fab 52工厂已部署四台ASML Twinscan NXE系列Low-NA EUV光刻机，其中至少包含一台NXE:3800E系统——这是ASML目前最高端的Low-NA机型。该设备融合了下一代High-NA光刻机的晶圆处理程序和光源技术，在30 mJ/cm²剂量下，每小时可处理多达220片晶圆。工厂还配备了三台NXE:3600D系统，其处理速度为每小时160片晶圆。英特尔在Ocotillo园区规划了至少15台EUV光刻机的安装空间，为未来引入更先进的设备预留了充足余地。
从产能和技术节点来看，Fab 52的优势尤为突出。台积电Fab 21一期主要生产N4和N5工艺芯片，单模块月产能约为20000片晶圆。而英特尔Fab 52专注于更先进的18A（1.8nm及以下）制程，月产能预计超过40000片，是台积电的两倍。即便台积电二期工厂具备N3能力，英特尔在制程代际和总吞吐量上仍将保持领先或持平。考虑到18A工艺的复杂性远超N4，英特尔在实现这一产能规模背后，实际上承担了更高的技术难度与制造工作量。
然而，报道也指出，尽管硬件参数亮眼，英特尔在生产节奏上面临挑战。Fab 52目前正处于Panther Lake处理器的早期生产阶段，使用的是尚未完全成熟的18A技术。英特尔预计，18A的良率要到2027年初才能达到世界级水平。在此之前，为控制成本和风险，工厂不会强行拉满产量，这意味着部分昂贵的产能将暂时闲置。相比之下，台积电在美国采用的是已验证过的成熟工艺，能够迅速实现近100%的产能利用率。这场“先进性”与“成熟度”的博弈，将成为未来三年美系芯片制造的关键看点。
