全球科技巨头在人工智能（AI）领域的竞争日益白热化，作为核心零部件的高带宽内存（HBM）价格正经历前所未有的上涨。据韩国媒体报道，三星电子与SK海力士近期在与客户续签HBM3E 12层产品供货合同时，报价较此前大幅提高超过50%，新客户甚至需要接受更高价格才能获得供货。
以HBM3E 12层产品为例，其单颗价格已从年初的约300美元（折合人民币2105元）飙升至近期续签合同中的500美元（折合人民币3508元），涨幅接近70%。这一价格水平已与下一代HBM4产品的预期定价相当，反映出市场供需关系的剧烈变化。业内人士形容，HBM价格近期“如同坐上火箭般飞升”，这一趋势自今年下半年以来尤为明显。
HBM通过堆叠动态随机存取存储器（DRAM）芯片实现高带宽性能，是AI训练和推理任务的关键组件。随着大型科技公司加速布局生成式AI、大语言模型等领域，对HBM的需求呈现爆发式增长。然而，全球主要供应商三星和SK海力士的产能扩张速度难以匹配需求增速，导致市场供不应求的局面持续加剧。
尽管三星电子已尝试将部分NAND闪存生产线转换为DRAM生产线，但在HBM2即将量产的关键阶段，短期内扩大供给仍面临技术挑战。SK海力士则需等待明年下半年新工厂投产后，才能逐步增加HBM供货量。分析认为，受产能限制和需求旺盛双重因素影响，HBM价格高企的态势可能延续至2025年。
市场研究机构指出，HBM占AI服务器成本的比重已从2023年的约8%攀升至2024年的15%以上。随着AI应用场景不断拓展，这一比例可能进一步上升。对于科技企业而言，HBM价格飙升不仅推高了研发成本，也可能影响新一代AI产品的推出节奏。全球半导体产业链正密切关注HBM市场的后续动态，以评估其对AI技术发展的长期影响。
