据韩媒ZDNet Korea报道，高带宽内存（HBM）的量产模式正经历重大调整。传统半导体行业遵循“认证通过后量产”的标准化流程，但HBM供应链为应对核心客户迫切需求，已开始采用“认证未完成即投产”的新策略。这种打破常规的做法，正在重塑全球存储芯片市场的竞争格局。
三星电子与SK海力士近期同步推进HBM4风险量产计划。SK海力士在财报说明会上透露，自去年9月建立量产体系以来，已按客户指定规模启动生产。该公司采用的“风险量产”模式，即在客户最终认证（Qual测试）完成前，提前投入晶圆进行规模化生产，这种策略在半导体行业极为罕见。
交付周期压力成为驱动厂商冒险的关键因素。HBM从投片到出货需约4个月周期，若等待认证结束再量产，将无法匹配英伟达2025年AI加速器的上市节奏。行业数据显示，HBM4初期良率较前代产品下降约15%，叠加产能爬坡周期，常规量产模式将导致至少6个月的市场空窗期。
三星电子同步释放量产信号。该公司在业绩发布会上确认，HBM4已通过客户性能评估并进入量产阶段，2月起将正式出货包括11.7Gbps高速版本在内的全系列产品。综合产业链信息，三星实际于去年下半年即启动风险量产，其量产进度与SK海力士形成同步竞争态势。
这种激进策略伴随显著风险。库存管理成为最大挑战，若英伟达调整采购计划或产品出现重大缺陷，供应商将承担数亿美元级的库存损失。据测算，HBM4单片晶圆成本较DDR5高出3倍，任何需求波动都可能引发连锁反应。行业分析师指出，只有具备垂直整合能力的存储巨头才敢采用这种高风险模式。
目前两家企业的HBM4测试仍在持续进行，英伟达设定的最终认证截止日为今年第一季度末。这场围绕AI芯片核心组件的量产竞赛，不仅考验着厂商的技术实力，更成为衡量其供应链风险管理能力的试金石。随着AI算力需求持续爆发，HBM市场的竞争格局或将因此发生根本性改变。
