春节前夕，国内存储市场正经历一轮价格波动。记者走访深圳华强北电子市场发现，近期内存现货价格出现小幅回调，部分DDR4产品较2025年最高点回落10%-20%，但整体仍处于历史高位。有商户透露，某型号DDR4内存单价仍高达1800元，甚至超过同期黄金价格，尽管较此前峰值已下跌数十元。
NAND闪存市场呈现更强涨价势头。原厂报价较年初翻倍，eMMC嵌入式存储价格涨幅尤为突出。受此影响，多家电脑厂商已调整产品定价策略：中低端笔记本价格上调5%-10%，部分游戏本品牌计划在节后实施最高33%的涨价幅度，对应千元级价格上浮。行业数据显示，存储部件成本占整机比例已突破30%，成为推动终端涨价的核心因素。
市场研究机构CFM统计表明，2025年全球DRAM/NAND Flash市场规模首次突破2000亿美元，达2215.91亿美元（约合1.53万亿元人民币），同比增长32.7%。这一增长主要受人工智能、数据中心等新兴领域需求驱动，但供给端产能扩张明显滞后。三星、SK海力士、美光等国际大厂库存水平降至近五年低位，正推动定价机制改革，拟将传统季度议价模式改为动态市价结算。
产能扩张方面，主要原厂保持谨慎态度。预计2026年一季度DRAM芯片出货量增幅将低于5%，NAND芯片增幅维持在5%-10%。多家企业表示，新建产线需至2027年下半年才能形成有效供给，短期内市场供需紧张格局难以根本扭转。这种预期进一步强化了产业链对价格持续高位运行的判断。
国产存储阵营则呈现加速崛起态势。长鑫科技通过持续扩产，全球DRAM市场份额已升至3.97%，超越美光成为全球第四大厂商。长江存储在NAND领域表现更为亮眼，其全球出货量占比在2025年首季突破10%，较2024年第三季度提升3个百分点。据Omida数据，两家企业合计占据中国存储市场超过25%份额，形成与国际大厂三足鼎立的新格局。
产业链上游设备商率先受益。中微公司披露，其高端刻蚀设备在先进制程中的渗透率显著提升，带动2025年净利润同比增长28.74%-34.93%。长川科技等测试设备厂商也实现业绩翻倍增长。国际市场方面，《日经亚洲》报道称，惠普、戴尔等品牌已将中国大陆存储芯片纳入供应商体系，这是国际终端厂商首次大规模采用国产内存产品。
分析人士指出，国产存储的突破不仅改变全球产业格局，更重塑了中国电子产业的供应链安全。随着长江存储128层3D NAND、长鑫科技LPDDR5等高端产品量产，国内厂商在技术代差上已缩短至1-2年，为后续市场竞争奠定基础。不过，要实现真正意义上的国产替代，仍需在产能规模、良品率等关键指标上持续突破。
