在半导体光刻技术领域，一项关于金属氧化物光刻胶（MOR）的新发现正引发行业关注。比利时校际微电子研究中心（imec）近日宣布，通过调整烘烤环境中的氧气浓度，可显著提升适用于High NA EUV等先进光刻工艺的MOR材料性能，为优化光刻全流程效率开辟了新路径。
传统光刻图案化过程中，需通过特定波长的光线照射涂覆在晶圆表面的光刻胶，形成所需电路结构。对于部分类型光刻胶，后续烘烤步骤是加速图案显影的关键环节。imec的研究团队在测试平台上发现，当烘烤环境中的氧气含量高于常规大气条件时，MOR材料的反应效率出现明显提升。
实验数据显示，在50%氧气浓度环境下进行烘烤，MOR材料的图案显影速度加快了15%至20%。这一现象在商用MOR材料与实验室模型材料中均得到验证，表明该优化方案具有广泛的适用性。研究团队指出，氧气浓度的提升降低了实现相同显影效果所需的光刻照射剂量，直接缩短了单次光刻工序的耗时。
这项突破性发现为半导体制造工艺提供了新的效率提升维度。通过优化烘烤环境参数，厂商可在不改变现有光刻设备硬件配置的情况下，实现生产效率的实质性提升。尤其对于采用High NA EUV等先进光刻技术的7纳米及以下制程节点，该技术方案有望成为降低制造成本、缩短产品上市周期的重要手段。
