AIPress.com.cn报道
4月20日消息，SK海力士宣布，公司将正式量产基于第六代10纳米级（1c）LPDDR5X低功耗DRAM的192GB容量SOCAMM2产品。
SOCAMM2（Small Outline Compression Attached Memory Module 2）是一种基于低功耗DRAM的内存模块，具备厚度薄与可扩展性等特性。该产品采用压缩式连接器，可提升信号完整性且易于更换。与传统面向智能手机等移动端设备的低功耗内存不同，此次推出的SOCAMM2针对服务器环境进行了专门优化，主要面向下一代AI服务器等高性能运算场景。
SK海力士表示，采用1c工艺的SOCAMM2是专为高性能AI运算优化的解决方案。与传统的RDIMM（寄存双列直插式内存模块）相比，其带宽提升逾两倍，功耗降低75%以上。RDIMM通过在存储器模块的内存控制器与DRAM芯片之间增加可中继地址、命令信号的寄存器或时钟缓冲器，广泛应用于服务器和工作站。
公司特别强调，该SOCAMM2产品是面向英伟达Vera Rubin平台设计的。Vera Rubin是英伟达推出的新一代数据中心GPU架构，专为大规模AI运算打造。该产品可从根本上缓解数千亿参数级AI大模型在训练与推理过程中所面临的存储瓶颈问题。存储瓶颈指因某些特定零部件的处理能力受限导致整个系统性能下降的现象，在AI运算过程中，若存储器的数据传输速度滞后于GPU运算速度，便会引发此问题。SK海力士期待该解决方案能够大幅提升整体系统的处理速度。
随着AI发展从训练转向推理阶段，支持大型语言模型低功耗运行的SOCAMM2作为下一代存储器解决方案正备受瞩目。为满足全球云服务供应商客户需求，SK海力士已提前搭建起稳定的量产体系。
SK海力士 CMO 金柱善社长表示："通过192GB容量SOCAMM2的产品供应，公司建立了面向AI的存储器性能新基准。公司将与全球AI客户紧密合作，成为'客户最信赖的面向AI的存储器解决方案企业'。"（AI普瑞斯编译）
