台积电在美国当地时间22日举办的2026年北美技术论坛上，公布了多项先进制程技术的研发进展与量产计划，涵盖从尖端逻辑工艺到成熟制程的多个领域。其中，A13与A12两项尖端工艺成为焦点，前者作为A14的直接光学收缩版本，通过设计规则完全兼容实现6%的面积缩减，同时通过协同优化设计提升能效与性能；后者则基于超级电轨（Super Power Rail）背面供电架构，成为继A16之后面向AI与高性能计算（HPC）场景的新一代解决方案，两项技术均计划于2029年进入量产阶段。
在2纳米平台方面，台积电宣布推出演进版本N2U，该技术通过优化晶体管结构，在保持与前代N2P兼容性的基础上，实现3-4%的速度提升或8-10%的功耗降低，同时逻辑密度增加2-3%，预计2028年启动生产。针对车用芯片市场，首款采用全环绕栅极（GAA）技术的N2A制程同步亮相，其性能较今年量产的N3A提升15-20%（相同功耗下），并计划于2028年通过车规级AEC-Q100认证，为自动驾驶与智能座舱提供更高性能支撑。
成熟制程领域亦有突破。台积电宣布将高压技术首次整合至FinFET晶体管架构，推出面向显示驱动芯片（DDIC）的N16HV制程。该技术通过缩小栅极尺寸，使栅极密度较N28HV提升41%，同时功耗降低35%，有望推动高分辨率显示设备的能效升级。此次技术更新覆盖从前沿AI芯片到消费电子的广泛场景，进一步巩固台积电在半导体制造领域的多维竞争力。
