近日，专注于3D存储半导体IP研发的NEO Semiconductor公司宣布，其自主研发的X-DRAM技术取得重大突破，成功完成概念验证芯片制造。这一创新成果表明，基于3D堆叠架构的X-DRAM可直接利用现有3D NAND闪存生产线生产，为半导体制造工艺的兼容性开辟了新路径。
技术参数显示，X-DRAM验证芯片在性能指标上表现优异：循环耐久性达到10¹⁴次，读写延迟控制在10纳秒以内，在85℃高温环境下数据保持时间超过1秒。值得注意的是，该数据保持能力是JEDEC标准DRAM规范（64毫秒）的15倍，标志着新型存储器在可靠性与能效比方面取得显著进展。
在资本层面，NEO Semiconductor同步披露获得战略投资，投资方为宏碁集团创始人施振荣领衔的产业基金。此次融资将用于加速X-DRAM技术的商业化进程，推动其与主流存储器市场的技术对接。行业观察人士指出，这种"技术突破+资本助力"的双重驱动模式，有望缩短新型存储器的产业化周期。
