台积电在近期举办的2026年北美技术论坛上透露，其2nm级N2制程工艺已进入关键产能爬坡阶段。今年将同步推进五座晶圆厂的生产能力建设，包括新竹Fab20的一、二期工程以及高雄Fab22的一至三期工程。这一布局标志着台积电在先进制程领域的产能扩张迈入新阶段。
根据规划，N2节点首年晶圆产量将较前代N3工艺提升45%，而N2与A16系列工艺在2026至2028年间的产能年复合增长率预计达70%。与此同时，主流制程的扩产步伐同样加快：N3与N5节点产能自2022年至2027年的复合年增长率将达25%，显著高于行业平均水平。
在先进封装领域，台积电的CoWoS技术产能扩张尤为迅猛，2022至2027年间的复合年增长率超过80%，而三维集成技术SoIC的产能增速更突破90%。这种双轨并进的策略，既巩固了其在晶圆代工领域的领先地位，也强化了封装环节的技术壁垒。
全球产能布局方面，美国亚利桑那州Fab21第二晶圆厂将于2026年下半年启动设备安装，第一晶圆厂今年产量预计达到2025年的1.8倍。日本熊本JASM Fab23的首座晶圆厂产能增长更为显著，今年产出将是去年的2.3倍。这些海外基地的产能释放，将进一步优化台积电的全球供应链网络。
数据显示，台积电2024年将同步推进5座晶圆厂与4座先进封装厂的扩产计划，总投资规模与去年持平，但较2017至2023年的年均水平增长超一倍。这种持续加码的资本支出策略，凸显了其在半导体周期波动中保持技术领先与产能优势的坚定决心。
