近日，美国国际贸易委员会（ITC）就第337‑TA‑1414号调查作出最终裁决，认定总部位于珠海的氮化镓器件制造商英诺赛科，其当前在售的氮化镓功率器件产品未侵犯英飞凌公司持有的两项美国专利。这一裁决意味着英诺赛科可继续在美国市场自由进口和销售相关产品，不受任何限制。
ITC全体委员一致确认，英诺赛科现有产品未涉及侵犯英飞凌第9,070,755号专利（电极设计相关）和第9,899,481号专利（封装设计相关）。针对第9,899,481号专利，委员会仅认定其中两项权利要求有效，但指出侵权行为仅涉及英诺赛科已停产的历史旧产品。由于这些旧产品早已退出市场，相关进口和销售禁令对英诺赛科当前业务运营无实质性影响。
作为国内氮化镓半导体领域的领军企业，英诺赛科的产品线涵盖高低压氮化镓电源IC及功率半导体等。2024年底，该公司成功在香港联合交易所主板挂牌上市，成为国内首家登陆资本市场的氮化镓半导体企业。此次ITC裁决进一步巩固了其产品在北美市场的合法地位，为全球客户持续供应提供了法律保障。
英诺赛科在声明中强调，公司将维持对美国及全球市场的稳定供货，现有GaN功率产品的研发与生产计划不受影响。此次专利纠纷的圆满解决，不仅验证了企业技术创新的合规性，也为国产半导体企业在国际知识产权竞争中树立了标杆。
