近日，半导体制造领域的知名企业联华电子（简称联电，UMC）对外宣布，成功研发出适用于显示驱动集成电路（IC）的14纳米嵌入式高压（eHV）FinFET技术平台。这一创新成果标志着联电首次将FinFET技术引入显示驱动领域，实现了技术上的重大突破。
据联电介绍，与当前最先进的22纳米eHV量产制程相比，新推出的14纳米eHV平台在功耗和芯片面积上均有显著优化。具体而言，该平台能够降低高达40%的功耗，并节省35%的芯片面积，为显示驱动IC的性能提升和成本降低提供了有力支持。
此前，联电的22纳米eHV制程已广泛应用于支持更小型、轻薄化驱动模块设计的领域，有效延长了移动设备的电池续航时间，并满足了高阶与折叠式OLED智能手机显示应用的需求。而此次14纳米eHV平台的推出，无疑将进一步推动显示技术的革新与发展。
在数字电路设计方面，联电的14纳米eHV技术采用了先进的3D晶体管结构，并通过优化I/O元件设计和提升驱动速度，显著增强了电气效能，确保了信号的完整性。同时，该平台还支持高分辨率显示应用所需的高刷新率，为用户带来更加流畅、清晰的视觉体验。
联电还对中电压组件进行了优化，使其具备更小的线宽间距和更广泛的电压操作范围。这一改进为驱动电路设计提供了更高的灵活性，有助于满足不同应用场景下的多样化需求。
联电技术研发副总经理徐世杰表示：“显示应用已渗透到我们生活的方方面面，市场需求正持续向更高画质、更快速度和更低功耗的方向发展。联电很荣幸能在显示驱动IC市场中保持领先地位，此次14纳米eHV平台的推出，是我们技术实力的一次重要展现。未来，我们将继续以领先的制程技术，助力客户将创新构想转化为实际可量产的成果。”
