随着AI硬件加速迭代，芯片功耗与散热问题正成为行业焦点。英伟达、AMD等企业推出的新一代AI服务器GPU单芯片功耗已逼近千瓦级别，高功耗带来的热量积聚问题愈发严峻。在此背景下，HBM（高带宽内存）技术发展进入新阶段，堆叠层数从HBM4的12至16层向HBM5的20层迈进，内部热管理成为决定产品性能的关键因素。
SK海力士近日宣布推出iHBM散热技术，通过将冷却元件直接集成至HBM芯片内部，构建出垂直贯穿的散热通道。这项创新设计可使热阻降低30%以上，有效缓解多层堆叠带来的散热压力。该公司计划将该技术应用于HBM5及后续产品，以满足英伟达等客户对散热性能的严苛要求。
三星电子在Computex 2026展会上首次展示HBM5原型，同步推出HPB散热方案。该技术通过在多层DRAM裸片间嵌入导热块，形成多条独立散热通道，类似在芯片内部搭建"散热烟囱"。经第七代HBM4E验证，该方案可使热阻降低16%，相关样品已于5月底交付客户测试，HBM5量产时间表锁定2028年。
美光科技选择差异化技术路线，重点攻关低功耗HBM设计，并配套开发硅通孔沟槽冷却技术。通过在硅基芯片内部蚀刻微型流道，引导冷却液循环流动，实现芯片内部热量的高效导出。这种将流体冷却与芯片架构深度融合的方案，为高密度计算场景提供了新的散热思路。
行业分析指出，散热技术升级正在引发半导体产业链变革。高导热材料、先进封装工艺等领域将迎来需求爆发，从基板材料到封装设备供应商都将面临技术迭代压力。随着HBM向更高层数发展，低功耗设计与热管理技术已成为决定产品竞争力的核心要素，相关技术突破将持续重塑产业格局。
