碳化硅概念股Wolfspeed盘前大涨近13%报48.71美元。消息上，日前，Wolfspeed正式宣布推出第五代（Gen 5）碳化硅（SiC）MOSFET技术，面向下一代1200V和750V汽车及工业应用。比导通电阻（RSP）是衡量MOSFET有源芯片面积效率的核心品质因数。Wolfspeed Gen 5技术在5×5mm封装内实现了业界最高的单位面积载流能力，系统效率较同类竞品最高可提升27%。
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碳化硅概念股Wolfspeed盘前大涨近13%报48.71美元。消息上，日前，Wolfspeed正式宣布推出第五代（Gen 5）碳化硅（SiC）MOSFET技术，面向下一代1200V和750V汽车及工业应用。比导通电阻（RSP）是衡量MOSFET有源芯片面积效率的核心品质因数。Wolfspeed Gen 5技术在5×5mm封装内实现了业界最高的单位面积载流能力，系统效率较同类竞品最高可提升27%。
