集邦咨询最新发布的行业报告显示，NAND闪存市场供需失衡的局面有望在2027年得到缓解，而DRAM内存的短缺问题则可能持续更长时间。这一预测为持续数年的存储芯片市场波动提供了新的时间坐标，引发业界对不同类型存储产品发展轨迹的深入讨论。
报告指出，NAND闪存市场将在2027年下半年逐步实现供需平衡，但在此之前仍将经历一段供应紧张期。预计2026年全年NAND闪存供应缺口将维持在4%至6%之间，这直接导致产品价格难以出现实质性回落。推动供应改善的主要因素包括主要厂商如SK海力士、美光和三星的晶圆产能持续扩张，以及制程工艺的不断升级。这些技术进步和产能提升将逐步缩小供需差距，为市场稳定奠定基础。
消费市场需求疲软是影响NAND市场走向的另一重要因素。由于前期价格大幅上涨，许多消费者选择推迟设备升级计划，继续使用现有存储产品。这种需求端的理性回归在一定程度上缓解了供应压力，但也反映出市场对价格波动的敏感反应。行业分析师认为，这种消费行为的变化将对未来市场供需关系产生持续影响。
与NAND市场形成鲜明对比的是，DRAM内存的短缺形势显得更为严峻。威刚董事长此前警告称，受AI基础设施需求持续增长的推动，DRAM短缺可能延续十年之久。SK海力士董事长也持有类似观点，预计内存危机将持续至2030年。这种长期短缺预期与NAND市场形成强烈反差，凸显出不同类型存储产品在技术发展和市场需求方面的差异。
市场数据显示，DRAM合约价格曾在单个季度内出现高达89%的涨幅，这一极端波动反映了供应紧张的严重程度。更令人担忧的是，到2027年底，全球DRAM制造商的产能预计只能满足约60%的市场需求。这个时间点恰好是NAND市场预计恢复平衡的年份，进一步凸显了两类存储产品发展轨迹的分歧。
值得注意的是，关于NAND长期短缺的预警并非首次出现。群联电子CEO去年就曾表示，随着数据中心将更多资源投入AI推理工作负载，严重的NAND短缺可能持续十年。集邦咨询此次给出的时间表虽然提供了更明确的预期，但仍强调最终结果取决于AI需求的发展态势和消费市场需求的恢复程度。这种不确定性使得任何预测都需要保持谨慎态度。
对于普通消费者和PC装机用户而言，这些市场动态意味着不同的影响。虽然NAND闪存价格有望在2027年后趋于稳定，为SSD产品带来更友好的价格环境，但DRAM内存的高价态势可能持续更久。这种分化反映了AI技术发展对不同存储产品的差异化需求，也预示着内存市场将经历更长时间的结构性调整。
行业观察家指出，存储芯片市场的这种分化趋势可能带来深远影响。NAND市场的逐步稳定将为消费电子和数据中心等领域提供更可靠的供应保障，而DRAM的持续短缺则可能推动相关技术加速创新，寻找替代方案或提升现有产品的性能密度。这种技术演进与市场需求的互动，将继续塑造未来存储产业的发展格局。
