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Resonac突破技术壁垒:成功研制12英寸碳化硅单晶衬底 引领行业新发展

   时间:2026-09-16 12:53:23 来源:互联网编辑:快讯 IP:北京 发表评论无障碍通道
 

功能性化学品领域知名企业Resonac(曾用名昭和电工,现称力森诺科)传来重大突破消息,该公司于日本当地时间宣布,成功制造出直径达300mm(12英寸)的碳化硅(SiC)单晶,并顺利将其加工成衬底。这一成果在碳化硅半导体行业引发广泛关注,因为12英寸是目前碳化硅半导体商业化单晶的最大直径。

在碳化硅外延晶圆供应方面,Resonac有着较为丰富的产品线。目前,该公司主要向市场供应150mm(6英寸)的碳化硅外延晶圆,同时200mm(8英寸)的碳化硅外延晶圆也已开启出货模式,展现出其在碳化硅领域较强的生产与供应能力。

碳化硅材料之所以备受青睐,源于其具备一系列卓越性能。它拥有出色的电力转换能力,能有效提升能源利用效率;在热力传递方面表现优异,可快速散发设备运行时产生的热量;光学折射性能也十分突出。基于这些特性,碳化硅材料在多个前沿领域有着广泛应用,包括电动汽车、可再生能源、数据中心供电、高发热密度芯片以及XR设备等,为这些领域的技术发展提供了有力支撑。

 
 
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