全球功率半导体领域迎来重要合作进展。德国英飞凌科技公司与日本罗姆半导体集团近日正式签署战略合作备忘录，双方将在碳化硅（SiC）功率器件封装领域建立深度协作机制。这项合作将通过技术互认与封装标准兼容，为全球客户提供更具弹性的供应链解决方案。
根据协议内容，两家企业将互为对方特定SiC功率器件封装的第二供应商。这意味着客户可在英飞凌与罗姆的对应产品线间实现无缝切换，显著提升产品设计的兼容性与采购策略的灵活性。例如在电动汽车充电模块、工业电机驱动等应用场景中，设计人员无需重新调整电路布局即可更换供应商。
技术协作层面，罗姆将引入英飞凌开发的2.3毫米标准高度SiC顶部散热封装平台。该平台通过优化热传导路径，可使器件在150℃结温下持续稳定运行。与此同时，英飞凌将采用罗姆的"DOT-247"半桥结构SiC模块封装技术，并开发兼容产品。这种模块采用压接式设计，较传统焊接结构可降低30%的寄生电感。
参与签约的英飞凌零碳工业功率事业部总裁彼得·瓦维尔表示："通过整合双方在封装技术上的优势，我们正在构建一个更具韧性的功率半导体生态系统。"罗姆方面出席签约的常务执行官伊野和英强调："这次合作将加速宽禁带半导体在工业与汽车领域的普及应用。"
据悉，双方的合作范围将逐步扩展。除现有碳化硅技术外，未来计划将硅基功率器件、氮化镓（GaN）高频器件等更多产品线纳入协作框架。这种跨材料体系的封装标准互认，有望推动功率半导体行业向模块化、标准化方向演进，为新能源、5G通信等战略性产业提供更高效的器件支持。
