AIPress.com.cn报道
2月13日，三星电子公布了其最新HBM4高带宽内存芯片的性能数据，并透露了下一代产品的交付时间表，显示这家全球最大的存储芯片制造商正在加速追赶HBM市场的领先者SK海力士。
三星芯片部门首席技术官宋宰旭在周三表示，HBM4芯片的客户反馈"非常令人满意"。
根据三星公布的数据，HBM4芯片的稳定处理速度达到11.7Gbps，较上一代HBM3E提升了22%。峰值速度则可达到13Gbps，有助于缓解AI训练和推理过程中日益严重的数据传输瓶颈。
三星还透露，计划在今年下半年交付下一代HBM4E芯片的样品，显示公司正在同步推进更先进产品的研发。
消息公布后，三星股价周四收涨6.4%，SK海力士同日收涨3.3%。
三星在HBM市场的起步明显慢于竞争对手。在上一代HBM3E芯片的供应上，三星的响应速度落后于SK海力士，导致其在这个高速增长的细分市场中丢失了先机。SK海力士凭借先发优势，在HBM领域建立了主导地位。
但三星正在加速缩小差距。HBM4芯片的性能数据和积极的客户反馈表明，三星在新一代产品上的竞争力有所恢复。
SK海力士方面也没有放松。公司在1月份表示，面对三星日益加强的竞争，其目标是在HBM4芯片上维持"压倒性"的市场份额，并计划将HBM4的生产良率提升至与当前HBM3E芯片相当的水平。
美光也已加入战局。据媒体报道，美光CFO表示公司的HBM4芯片已进入大批量生产阶段，并且已经开始向客户发货。
三家存储芯片巨头同时在HBM4上发力，背后的驱动力是全球AI数据中心建设带来的巨大芯片需求。HBM芯片的核心作用是为GPU等AI加速器提供高速数据传输通道，支撑AI模型的训练和推理。随着AI模型规模持续膨胀、数据中心资本开支不断攀升，HBM芯片的市场需求正处于爆发式增长阶段。
