北京大学电子学院邱晨光-彭练矛团队在非易失性存储器领域实现重大技术突破，首次提出"纳米栅超低功耗铁电晶体管"创新架构。该成果通过《科学·进展》期刊面向全球发布，标志着我国在新型存储器研发领域迈入国际领先行列。
研究团队突破传统铁电存储器设计范式，创新性引入纳米栅极电场汇聚增强效应。通过优化器件结构，成功将铁电晶体管的工作电压降至0.6V，单位面积能耗仅0.45fJ/μm，较现有技术降低两个数量级。更值得关注的是，该器件物理栅长突破性缩减至1纳米，创下国际同类器件最小尺寸纪录。
这项突破具有双重战略价值：在基础研究层面，验证了亚1纳米节点下铁电存储的可行性，为后摩尔时代芯片架构革新提供全新物理机制；在应用层面，通过与标准CMOS工艺兼容的设计，为构建高算力AI芯片和低功耗物联网设备开辟了新路径。研究团队已系统验证该技术对锆钛酸铅、铪基氧化物等主流铁电材料的普适性。
知识产权布局方面，团队围绕核心架构申请三项中国专利（202511671105.4/202511672017.6/202511674034.3），形成覆盖器件结构、制造工艺、系统集成的完整技术体系。特别针对NAND闪存和嵌入式SoC架构开发的专利组合，为打破国外技术垄断、构建自主可控的存储产业链奠定关键基础。
业内专家指出，该技术通过电场调控实现极化翻转的创新机制，有效解决了传统铁电存储器存在的漏电、疲劳等问题。随着原子层沉积等先进制造工艺的成熟，这项成果有望在3-5年内实现产业化转化，推动我国在新型存储器市场的占有率实现跨越式提升。
