美光科技在近期举行的FY2026Q2财报会议上透露，其正在研发基于1γ（第六代10nm级）工艺的DRAM芯片，用于下一代HBM4E内存产品。这款预计2027年量产的新品将实现制程升级，相比现有的HBM4技术更具竞争力。公司表示，新工艺将显著提升内存带宽和能效比，满足人工智能、高性能计算等领域对存储性能的严苛需求。
在先进制程布局方面，美光确认将引入第七代10nm级工艺1δ（1-delta）。该技术节点将大幅增加极紫外光刻（EUV）的使用比例，为此公司计划采购最新一代High NA EUV光刻设备。这项投资不仅能优化晶圆厂洁净室的空间利用率，还将提升芯片图案的制造精度，为后续3D堆叠存储器的研发奠定基础。
商业合作模式转型成为另一焦点。美光正将传统长期协议升级为战略客户协议（SCA），首份五年期合作框架已正式签署。这种新型合作方式通过明确多年度供应承诺，既保障了公司营收的稳定性，也为关键客户提供了产能保障。业内人士分析，此举有助于美光在存储芯片周期波动中维持竞争优势。
针对市场供需预测，美光预计2026年全球DRAM和NAND闪存供应量将增长约20%，但同期PC和智能手机出货量可能出现超过10%的下滑。为应对这种结构性变化，公司已上调本财年资本支出计划，重点投向晶圆厂洁净室扩建项目。这笔投资将主要用于提升1γ和1δ工艺的量产能力，确保新技术节点按时进入规模生产阶段。
