SK海力士近日公布了2026年第一季度财务数据，显示公司营收达到52.6万亿韩元，环比增长60.2%，营业利润达37.6万亿韩元，几乎较前一季度翻倍。这一业绩表现与市场普遍预期基本一致，净利润更因铠侠股权重估收益的推动，飙升至40.3万亿韩元，环比增幅高达164.6%，远超预期。
存储芯片市场的强劲表现成为SK海力士业绩增长的核心动力。据伯恩斯坦4月23日发布的报告分析，第一季度业绩证明存储芯片价格走强并非短期现象，而是由供应短缺的结构性因素支撑。公司管理层明确表示，当前定价环境的有利态势将延续更长时间，客户更关注供应链稳定性而非单纯压价，这为价格持续坚挺提供了基础。
从产品定价来看，SK海力士DRAM均价环比上涨约60%，NAND均价涨幅超过70%，与美光科技同期数据高度吻合。这种定价趋势直接推高了公司利润率水平——第一季度整体毛利率达79.3%，其中DRAM毛利率突破80%，NAND毛利率预计超过60%，均创下2017-2018年以来的新高。公司强调，即便现货价格出现阶段性回调，也不代表行业周期见顶。
HBM（高带宽内存）业务成为本季度最大亮点。作为DRAM收入超预期的主要贡献者，SK海力士预计未来三年HBM需求将持续远超自身产能。为此，公司将在HBM与传统DRAM之间维持产能平衡配置，同时推进产品迭代：HBM4将按客户时间表量产，HBM4E已于2026年下半年启动客户送样，计划2027年正式投入量产。
出货量方面呈现分化态势。第一季度DRAM出货量环比持平，低于市场预期；NAND出货量环比下降约10%。不过，公司对第二季度展望积极，预计DRAM出货量将实现高个位数增长，NAND出货量也将止跌回升。这种预期转变反映出供应链调整的成效，以及市场对高端存储产品的持续需求。
为支撑业务扩张，SK海力士宣布将大幅增加2026年资本支出，重点投向基础设施建设和关键设备采购。据伯恩斯坦估算，全年资本支出可能达420亿韩元，较2025年的275亿韩元显著提升。具体产能规划包括：龙仁第一晶圆厂（Y1）一期洁净室将于2027年2月完工，全部六期项目建成后将专注DRAM生产；NAND产能则通过技术升级实现扩张，计划2026年底前将50%的国内产能迁移至321层堆叠工艺。
尽管第一季度资本支出因季节性因素环比下降，但仍保持2025年以来最高水平之一。这种投资节奏既体现了公司对市场前景的信心，也反映出其在产能扩张与财务稳健之间的平衡策略。随着高端存储产品需求持续增长，SK海力士正通过技术升级和产能优化巩固行业领先地位。
