近期，半导体板块在经历一轮迅猛涨势后，市场对其估值过热的担忧逐渐显现。此前，追踪芯片行业的iShares半导体ETF（SOXX.US）连续18个交易日上涨，创下罕见连涨纪录，但这一势头在周一戛然而止，当日收跌1.34%。投资者开始重新审视是否应继续追高芯片股。
在截至上周五的18连涨期间，该ETF累计涨幅接近50%，仅上周五一天就因英特尔强劲财报及AMD获分析师上调评级而上涨近5%。然而，快速攀升的股价也推高了估值压力。FactSet数据显示，iShares半导体ETF当前远期市盈率接近26倍，显著高于其10年平均约19倍的水平，且较标普500指数溢价17%。历史上，该ETF通常相较大盘存在小幅折价。
分析人士指出，当前市场几乎在“为完美定价”。Interactive Brokers首席策略师Steve Sosnick警告，主要风险在于市场预期过高，企业业绩可能难以持续超出预期。他强调，投资者需警惕估值泡沫破裂的风险。
从个股表现来看，本轮上涨几乎覆盖整个芯片板块。表现最弱的高通（QCOM.US）自3月30日以来仍上涨16%，而英伟达（NVDA.US）尽管上涨22%，在板块中甚至被视为“落后者”。涨幅领先的个股包括Credo Technology（CRDO.US）、Astera Labs（ALAB.US）和英特尔，三者在18连涨期间股价均实现翻倍。迈威尔科技（MRVL.US）、AMD、德州仪器（TXN.US）、美光科技（MU.US）以及Arm Holdings（ARM.US）涨幅均超过50%。
Bespoke Investment Group指出，与iShares半导体ETF走势大致同步的费城半导体指数当前可能已显过热。历史上，仅有一次18日区间涨幅高于本轮，那是在2002年互联网泡沫破裂后的低点反弹阶段。这一对比进一步加剧了市场对估值过高的担忧。
不过，并非所有细分板块都被认为估值透支。Mizuho分析师Jordan Klein认为，在CPU概念股狂热推升下，存储芯片或仍具备更高性价比。他指出，尽管美光（MU.US）和闪迪（SNDK.US）股价同样大幅上涨，但其估值明显低于AMD、Arm和英特尔。具体来看，美光未来12个月预期市盈率仅约6倍，闪迪约10倍，而AMD、英特尔和Arm分别高达42倍、74倍和103倍。
市场人士认为，这意味着资金未来可能从高估值的AI算力主线部分轮动至存储板块。尤其在AI技术带动存储需求结构性增长的背景下，美光和闪迪或仍具备估值重估的空间。这一观点为投资者提供了新的布局方向。
然而，也有策略师提醒，半导体行业本质仍是周期性行业。JonesTrading首席市场策略师Mike O’Rourke指出，当前行业确实处于强劲增长周期，需求短期仍有支撑，但周期越大，上行尾声的风险也可能越高。他建议投资者保持谨慎，避免盲目追高。
