广发证券分析师蒲得宇近日在社交平台发布研究报告称，英特尔在先进封装领域取得重大进展，其自主研发的EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术良率已突破90%大关。这一数据表明，该技术已具备为AI数据中心芯片提供量产支持的实力，标志着英特尔在2.5D封装赛道上对台积电CoWoS技术发起有力挑战。
作为英特尔核心封装方案，EMIB技术通过在基板中嵌入硅桥实现多芯片高带宽互连，相比传统封装方案可降低30%功耗并减少25%成本。最新数据显示，该技术良率已与主流FCBGA（倒装芯片球栅阵列）封装持平，但裸片间互连密度提升达40%，为高算力芯片设计提供了关键支撑。
技术团队开发出双版本解决方案：EMIB-M版本集成MIM电容器，通过优化供电路径降低系统噪声，特别适用于能效敏感型计算场景；EMIB-T版本则创新性地引入TSV硅通孔技术，允许电力直接穿透桥接结构，使封装扩展密度提升2倍以上。这种差异化设计使英特尔能够同时覆盖从边缘计算到超算中心的多元需求。
在封装规模方面，当前EMIB-T技术已实现120x120mm封装内集成12个HBM存储芯片、4个功能小芯片及20余个互连桥接的复杂结构。根据英特尔技术路线图，到2028年该技术将突破120x180mm超大封装尺寸，支持超过24个HBM裸片与38个互连桥接的集成，为万亿参数级AI模型训练提供硬件基础。这项突破不仅重塑了先进封装技术格局，更为全球AI算力竞赛注入新的变量。
