英特尔正全力推动其位于俄亥俄州的超大型晶圆厂园区建设，计划于2031年全面投入运营。为加快这一战略项目的实施进度，公司通过提供高额加班奖金等激励措施，充分调动工程团队的积极性，确保关键节点按时达成。
该园区规划面积达1000英亩（约405公顷），将专注于生产英特尔"埃米时代"的先进制程节点，涵盖18A和14A工艺。根据建设蓝图，园区预计在2031年实现14A工艺的规模化量产，为下一代芯片技术提供产能支撑。
在封装技术领域，英特尔的EMIB-T方案取得突破性进展。这项技术通过在有机基板中嵌入微型硅桥，实现处理器封装内多个芯粒的高速互连。相较于传统方案，EMIB-T创新性地引入硅通孔（TSV）技术，使垂直通道能够直接从封装底部传输电力与高速信号，为三维芯片堆叠提供关键支持。
成本优势成为EMIB-T技术的重要竞争力。据测算，该方案的生产成本较台积电CoWoS方案降低约50%。英特尔计划在2027年正式向客户提供大规模封装服务，目前整体封装良率已接近90%的行业领先水平。
然而，基板良率问题成为制约产能扩张的主要瓶颈。当前基板环节的良率仅维持在50%左右，远低于封装环节的表现。EMIB-T基板采用三层复合结构：底层为Ibiden、Shinko等厂商供应的精密有机基板面板，中间层是采用味之素积层膜（ABF）的介电堆叠，顶层则是集成TSV的硅桥组件。
供应商Unimicron透露，EMIB-T技术仍处于早期发展阶段，当前工作重点集中在产能爬坡和良率提升。基板制造需要精确控制硅桥安置凹槽的加工精度，同时确保TSV垂直通道的电气性能稳定，这对现有生产工艺提出严峻挑战。
