全球存储芯片领域迎来重大突破，SK海力士正式宣布完成新一代HBM4内存的研发工作，并已具备大规模量产能力。这款采用1bnm（第五代10nm级）工艺制造的内存产品，凭借其2048-bit的I/O接口位宽与单针脚10Gbps的传输速率，实现了单颗2.5TB/s的惊人带宽，较JEDEC标准规范要求的8Gbps带宽提升显著。
据技术团队介绍，HBM4内存通过SK海力士自主研发的MR-MUF封装技术，在提升性能的同时优化了功耗表现。在AI计算场景中，该产品可带来最高69%的性能提升，这对于需要处理海量数据的深度学习模型训练具有重要价值。目前关于堆叠层数和单颗容量的具体参数尚未公布，但业内推测可能采用最高12层堆叠设计。
面对SK海力士的技术突破，三星电子也在加速推进HBM4的研发进程，试图在高端存储市场占据更多份额。作为AI基础设施的核心组件，HBM4内存已成为NVIDIA、AMD、Intel等科技巨头的战略焦点。其中NVIDIA下一代Rubin架构GPU预计将集成288GB HBM4内存，而AMD Instinct MI400系列更将内存容量推升至432GB，配合19.6TB/s的带宽，可满足超大规模AI模型的运算需求。
行业分析师指出，HBM4内存的技术演进将推动AI硬件进入全新发展阶段。其超高的带宽和容量特性，不仅能加速大语言模型的训练效率，还将为自动驾驶、科学计算等需要实时处理海量数据的领域提供关键支持。随着主要厂商陆续完成技术布局，2025年有望成为HBM4内存的商用元年。
