存储芯片市场正经历一场由人工智能（AI）技术驱动的全面涨价潮，这场始于上半年的行业波动进入第四季度后非但未现缓和，反而因多重因素叠加呈现加剧态势。据行业数据显示，DDR4 16Gb 3200现货价格本周攀升至13美元，周涨幅达30%；512Gb Flash晶圆价格10月以来累计涨幅超过20%，部分产品甚至出现"一日一价"的极端情况。
这场前所未有的行业变局，核心驱动力来自AI大模型发展引发的存储需求革命。摩根士丹利预测，2024年科技巨头在AI基础设施领域的投入将达4000亿美元，直接带动HBM（高带宽内存）等高端存储产品的爆发式增长。Yole Group数据显示，2025年HBM市场规模预计接近340亿美元，2030年前将保持33%的年复合增长率，届时其营收将超过DRAM市场总规模的50%。
在产能分配层面，存储原厂正进行战略性调整。TrendForce集邦咨询分析师许家源指出，原厂将有限产能优先保障HBM和Server DRAM生产，导致传统消费电子所需的DDR4、LPDDR4X等旧制程产品供应锐减。这种"计划性牺牲"直接引发市场结构性失衡，DDR4紧缺状况预计将持续至2026年上半年。
终端市场的价格传导效应已开始显现。小米集团创始人雷军在社交媒体直言"内存涨价实在太多"，新发布的Redmi K90系列手机部分版本售价较前代上调100-400元。集团总裁卢伟冰公开表示，存储成本上涨幅度远超预期且持续加剧，但企业仍希望以诚意定价获得消费者理解。威刚科技董事长陈立白则预测，第四季度将是存储市场大涨的起点，2025年行业繁荣可期。
面对这场"超级周期"，国内存储产业链各环节展开差异化应对。模组厂成为最大受益者，江波龙证券部人士透露，提前储备的存货对毛利率产生正向贡献。八月以来，行业普遍采取囤积颗粒及晶圆策略，并上调模组产品定价。但也有企业选择保守路线，朗科科技表示采取"清库存"模式以降低业绩波动。
芯片设计企业正与下游客户展开价格博弈。普冉股份证券部人士称，四季度以来供给趋紧，公司已启动与客户的涨价协商。分销领域则呈现量变特征，香农芯创表示虽采购成本上升，但通过价格传导保持毛利稳定，业务量变化成为主要影响因素。
国际原厂的涨价压力正加速国产替代进程。国内存储大厂人士透露，海外厂商提价促使部分客户转向国内晶圆厂，行业整体获利空间显著扩大。在高端领域，国产厂商加速布局HBM、先进封装和服务器DDR5等高附加值产品。赛腾股份表示其HBM检测设备已获海外大客户认可并批量出货，国内市场正在开拓；中微公司宣布在先进封装领域完成刻蚀、CVD等设备全线布局；佰维存储的晶圆级先进封测项目即将投产，将提供"存储+封测"一站式解决方案。
许家源分析指出，虽然2026年HBM3e可能面临供过于求，但新一代HBM4因技术门槛较高仍将保持供需紧张态势。在这场由AI引发的行业变革中，国内企业正通过技术升级和产能调整，力争在全球存储市场占据更有利位置。
