SK海力士近日宣布，成功研发出全球首款基于第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb LPDDR6 DRAM内存芯片。这款专为端侧人工智能应用设计的存储产品，在性能与能效方面实现双重突破，标志着移动设备内存技术迈入全新阶段。
作为移动设备内存领域的领导者，SK海力士于今年初在CES国际消费电子展上首次展示该技术原型后，迅速完成工程验证。据技术文档披露，新芯片采用子通道架构与动态电压频率调整（DVFS）技术，通过智能调节数据路径激活状态和运行参数，在保持基础工作速度突破10.7Gbps的同时，将功耗较前代LPDDR5X降低超20%。这种动态调节机制使设备在高负载游戏场景可释放最大带宽，日常使用时则自动进入低功耗模式。
性能测试数据显示，第六代工艺使数据处理速度提升33%，这得益于带宽扩展和单位时间数据传输量的显著增加。该芯片延续了LPDDR系列低电压运行特性，其1.1V工作电压较前代的1.05V虽有微调，但通过架构优化实现了整体能效比的大幅提升。作为第八代低功耗双倍数据速率标准，LPDDR6的推出延续了该系列每两年迭代一次的技术演进规律。
生产计划方面，SK海力士将于2024年上半年完成量产线调试，下半年启动批量供货。这款新型内存将与现有LPDDR5X形成产品矩阵，共同覆盖从主流移动设备到高端AI终端的市场需求。行业分析师指出，随着生成式AI向边缘设备迁移，对内存带宽和能效的严苛要求正推动存储技术加速革新，此次技术突破有望重塑移动计算设备的性能标杆。
