在英伟达GPU技术大会（GTC）上，存储领域迎来重要进展——美光宣布多款专为英伟达Vera Rubin平台设计的存储产品进入大规模量产阶段，涵盖高带宽内存、内存模块及数据中心固态硬盘三大产品线，为AI计算性能提升注入新动能。
作为核心产品之一，美光HBM4系列内存实现关键突破。今年一季度投产的36GB 12层堆叠版本已开始向客户交付，其引脚速率突破11Gb/s，内存带宽达2.8TB/s，较前代HBM3E提升2.3倍，同时功耗效率优化超20%。更值得关注的是，16层堆叠的48GB版本已进入样品测试阶段，单颗容量较12层版本增加33%，可显著提升单个HBM插槽的内存密度，为处理超大规模数据集提供硬件支撑。
在内存模块领域，美光SOCAMM2系列正式量产引发行业关注。该系列192GB版本专为Vera Rubin NVL72系统及独立Vera CPU平台设计，单颗CPU可配置最高2TB内存容量，带宽达1.2TB/s。产品线覆盖48GB至256GB容量区间，通过模块化设计满足从边缘计算到超大规模数据中心的差异化需求，有效解决AI训练中内存容量与带宽的瓶颈问题。
固态存储方面，美光推出全球首款针对英伟达BlueField-4 STX架构优化的PCIe Gen 6接口SSD——Micron 9650。该产品顺序读取速度达28GB/s，随机读取性能突破550万IOPS，较PCIe Gen 5产品实现近翻倍性能提升。在能效比方面，单位功耗性能提升约两倍，特别适用于需要高吞吐量与低延迟的AI推理场景，可显著降低数据中心运营成本。
技术专家指出，美光此次量产的产品矩阵形成协同效应：HBM4的高带宽特性与SOCAMM2的大容量优势互补，Micron 9650 SSD则通过高速存储加速数据流转。这种软硬协同的设计理念，恰好契合英伟达Vera Rubin平台对异构计算效率的极致追求，有望推动生成式AI、大语言模型等前沿应用进入新发展阶段。
