台积电董事长魏哲家在近期举行的股东大会上，针对外界关于公司不愿投资下一代光刻设备的质疑作出回应。他明确表示，台积电已采购ASML最新研发的High-NA EUV光刻机，并正在开展相关研发工作，但基于成本效益考量，目前不会将其投入量产阶段。
这款新型光刻设备单价高达3.8亿至4亿美元，较现有主流EUV设备贵出一倍以上。魏哲家坦言，设备采购成本过高是暂缓量产的主要原因。他强调，台积电当前策略是优先发挥现有EUV设备的潜力，通过多重图案化技术满足先进制程的微缩需求，待High-NA EUV的经济性更优时再全面应用。
据了解，台积电于2024年9月便已接收首台High-NA EUV光刻机，并将其部署在研发中心用于下一代工艺的基础技术攻关。魏哲家指出，提前布局研发有助于确保未来量产时达到可靠的良率与生产效率。尽管英特尔等竞争对手已将该设备纳入量产计划，但台积电选择"研发先行、量产慎行"的策略，这与公司一贯坚持的成本管控原则高度契合。
魏哲家进一步解释，High-NA EUV的全面应用需要满足两个关键条件：一是单次曝光实现更细微线宽的技术需求，二是晶圆生产成本具备市场竞争力。他预计，当这两个条件同时成熟时，该设备将自然融入台积电的生产体系。目前公司正通过优化现有设备组合，维持技术领先优势的同时控制资本支出规模。
行业分析师指出，台积电的决策反映了半导体制造领域在技术升级与成本控制之间的持续博弈。High-NA EUV虽能实现更精密的芯片制造，但其高昂的采购与运营成本迫使厂商必须精准把握投入时机。台积电作为全球最大晶圆代工厂，其技术路线选择对行业发展趋势具有重要参考价值。
