近日，半导体制造领域传来新动态，台积电在先进制程推进过程中，针对技术节点微缩至1.4纳米（A14）及1纳米（A10）时遭遇的制造瓶颈，做出了关键决策——放弃采购荷兰ASML公司单价高达4亿美元（按当前汇率约合28.37亿元人民币）的高数值孔径（High-NA）EUV光刻机。
从技术层面看，采购ASML的尖端高数值孔径EUV光刻机本是解决当前制造难题的直接途径。然而，台积电并未选择这一方案，而是将目光投向了“光掩模护膜”技术，以此作为替代，推动2纳米等先进制程的研发与生产。
成本因素是台积电此次决策的核心考量。一台高数值孔径EUV光刻机的售价极为高昂，对于台积电而言，这是一笔巨大的资本投入。媒体分析指出，台积电认为该设备目前所能带来的价值，与其高昂的价格并不相符，性价比不高。
基于此，台积电选择了成本更低的路径。具体而言，是在现有的标准EUV光刻机上引入光掩模护膜。这种护膜能够在光刻过程中保护光掩模免受灰尘等微粒的污染，进而实现更精密的芯片制造。
不过，光掩模护膜方案虽能规避巨额的设备采购费用，但也带来了新的技术挑战。使用标准EUV光刻机生产1.4纳米和1纳米级别的芯片，需要增加曝光次数才能达到所需的精度。这意味着光掩模的使用频率会大幅上升，不仅会拖慢生产节奏，还可能对芯片的良率产生潜在风险。台积电需要通过大量的“试错”来优化生产的可靠性，这无疑是一场技术上的硬仗。
除了成本因素外，高数值孔径EUV光刻机的供应量限制也是台积电拒绝采购的重要原因。据了解，ASML公司每年仅能生产五到六台此类设备。而台积电为了满足苹果等大客户庞大的需求，需要采购多达30台标准EUV光刻机。在这种情况下，将巨额资金投入到少数几台高数值孔径EUV光刻机上，显然不符合台积电的长期产能规划。
