集成电路制造中，光刻工艺因其耗时最长、技术难度最高，成为制约芯片性能提升的关键环节。作为光刻过程的核心耗材，光刻胶的质量直接影响电路图形的转移精度，进而决定芯片良率。随着国内半导体产业加速崛起，光刻胶市场规模持续扩大，2023年达109.2亿元，2024年突破114亿元，预计2025年将增至123亿元，其中KrF等中高端产品的国产化替代进程显著加快。
长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为如同“黑匣子”，工业界只能通过反复试验优化工艺，这成为7纳米及以下先进制程良率提升的主要障碍。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队联合合作者，首次将冷冻电子断层扫描技术（cryo-ET）引入半导体领域，成功在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的三维结构、界面分布及缠结行为，为减少光刻缺陷提供了产业化解决方案。
研究团队在晶圆完成标准光刻曝光后，将含光刻胶聚合物的显影液快速转移至电镜载网，并在毫秒级时间内将其急速冷冻至玻璃态，从而“定格”分子在溶液中的真实状态。通过冷冻电镜倾斜采样结合计算机三维重构算法，团队获得了分辨率优于5纳米的立体图像，突破了传统技术无法同时实现原位、三维、高分辨率观测的局限。
针对缠结问题，团队提出两项实用方案：一是适当提高曝光后烘烤温度，抑制聚合物过度缠结；二是优化显影工艺，保持晶圆表面连续液膜，通过流动带走聚合物。实验表明，两种方案结合可使12英寸晶圆表面的光刻胶残留缺陷减少超99%，显著提升芯片制造良率。
该技术的突破不仅限于光刻领域。冷冻电子断层扫描技术为原子/分子尺度下原位研究液体环境中的化学反应提供了通用工具，可应用于催化、合成乃至生命过程研究。对于芯片产业而言，精准掌握液体中聚合物的微观行为，将推动光刻、蚀刻、清洗等关键环节的缺陷控制，为制造更高性能、更可靠的下一代芯片奠定基础。
光刻工艺占集成电路制造总耗时的约50%，成本约占生产总成本的1/3。其核心步骤“显影”通过溶解光刻胶的曝光区域，将电路图案精确转移到硅片上。随着芯片特征尺寸不断缩小，光刻胶需满足更高分辨率、对比度和敏感度的要求。目前，光刻胶按应用领域可分为半导体、面板和PCB三类，其中半导体光刻胶的技术门槛最高，市场长期被东京应化、信越化学等国际巨头垄断。
近年来，受多重因素推动，我国半导体产业自主可控步伐加快，光刻胶作为关键环节，其国产化替代进程显著提速。从需求端看，半导体光刻胶的技术壁垒最高，而KrF等中高端产品的国产化突破，正逐步改变全球市场格局。
