尽管在EUV光刻机领域未能占据主导地位，日本仍稳居全球第二大光刻设备供应商行列。近年来，日本企业持续加大研发力度，试图通过技术革新开辟新路径，其中NIL纳米压印技术成为重点突破方向。这一技术路线被视为替代EUV光刻的潜在方案，吸引了多家日本企业的深度参与。
日本大日本印刷株式会社（DNP）近日宣布，其研发的10nm精度NIL纳米压印技术取得重大进展。该技术通过直接在基板上压印电路图案，可应用于1.4nm工艺逻辑芯片的曝光环节。与传统光刻技术相比，NIL方案在制造流程上更具灵活性，尤其适合高精度芯片生产需求。
技术实现层面，DNP采用SADP自对准双重图案技术，通过单次曝光配合双重图案化工艺，实现芯片制造精度的翻倍提升。这种创新方法不仅满足先进制程对精度的严苛要求，更在能耗控制方面表现突出。据企业披露，该技术能耗仅为现有主流工艺的十分之一，为芯片制造提供了显著的节能优势。
作为深耕NIL领域超过二十年的企业，DNP的技术积累已形成独特竞争力。其当前研发成果可部分替代EUV光刻功能，为芯片制造商提供差异化工艺选择。目前，该公司正与多家硬件供应商开展技术评估合作，通过实际测试验证技术可行性。
根据规划，DNP将在完成客户验证流程后，着手建立量产体系与供应链网络。预计到2027年，这项突破性技术将正式进入商业化量产阶段，为全球半导体产业提供新的制造解决方案。这一进展标志着日本企业在高端芯片制造设备领域持续保持技术创新能力。
